大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

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　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采选墓地的最好方位是什么，墓地的哪个方位的最好购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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